微波反應器可廣泛用于貴重材料包括GaN，SiC等的表面沉積。UHV結構，易于安裝到現有的MBE系統上。穩定可靠的真空腔。低氣壓、高密度及低能量的離子源。
1.微波功率隨溫度自動反饋控制，非脈沖微波連續加熱. 自動調整和控制反應過程，達到準確的溫度和反應過程控制效果，確保合成反應的均勻性和一致性。比傳統脈沖式加熱，微波作用時間更長，產率更高。
2.高頻率和高精度的紅外溫度傳感器，監測反應容器內反應物質發熱產生的紅外光線來測量和控制反應容器內的溫度變化過程，隨時檢測到反應容器內的溫度數值，溫度控制范圍：0-250℃（根據反應要求可選裝室溫～500℃或室溫～900℃），精度±1℃，無滯后和延遲效應。比鉑電阻測溫更安全，更靈敏，更準確，操作更簡便。
3.同時配備電磁和機械攪拌裝置，用戶可根據反應物質情況自行選擇攪拌方式，攪拌速度連續可調并實時顯示。適用于各種粘稠度的液體和固體反應物。
4.內置10套反應方案，任意調用。用戶可自行編輯、存儲、修改和刪除各套反應方案及各項反應控制參數（包括工步，溫度，時間和攪拌速度等）
5.配備爐腔內攝像裝置,并通過爐腔外的TFT彩色液晶（或CRT）顯示器，隨時觀察或錄像爐腔內反應過程，掌握實時的反應情況。
6.微波爐腔上的任何開口都對人體安全，整機安全性能通過國家質檢部門安全認證。
7.高強度的防腐涂層確保爐腔持久抵御各種有機溶劑和酸霧蒸汽的侵蝕，并配備大容量排風裝置。
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